此前 AMD 官方已确认，Ryzen 7 9800X3D 即将到来。这是 AMD 在 Zen 5 架构上加入 3D 垂直缓存（3D V-Cache）技术的新一代高端游戏处理器，拥有 8 核心 16 线程，L3 缓存从普通型号的 32MB 增至 96MB，TDP 提升到 120W，步进为 C0，基础频率和加速频率分别为 4.7GHz 和 5.2GHz。

近日有网友透露，AMD 的宣传材料里反复出现 "X3D Reimagined" 字样，似乎重新设计了 CCD 与 3D V-Cache 芯片的堆叠方式，这大概也是为什么 AMD 将 Ryzen 7 9800X3D 采用的 3D 垂直缓存技术称为了 " 第二代 3D V-Cache 技术 " 的原因之一。

之前的 X3D 产品里，AMD 运用了基于台积电的 SoIC 技术，将两个芯片被铣成一个完美的平面，底层 CCX 与顶层 L3 缓存之间是一个完美的对齐，TSV 通道可以在没有任何类型的粘合材料的情况下进行匹配。为了实现这个操作，AMD 将 CCD 翻转（由面向顶部改为面向底部），然后削去了顶部 95% 的硅，再将 3D 垂直缓存芯片安装在上面，最终在 L3 级别上实现了共享环形总线设计，使得整个 L3 缓存可用于每个内核。

到了 Ryzen 7 9800X3D，AMD 反转了原来的操作，现在变成了 CCD 在顶部，3D 垂直缓存芯片在下面，为每个 CCD 带来额外的 64MB 7nm SRAM 缓存。这么做可以让计算模块的热量可以直接散发到 IHS 上，一定程度上也解决了过往 X3D 产品所遇到的散热影响频率提升的问题，从而让超频也成为了可能。由于基于 Zen 5 的 CCD 里，L3 缓存的面积小于 Zen 4 的 CCD，不少人好奇 AMD 具体是如何去做的。

Ryzen 7 9800X3D 计划在 11 月 7 日正式上市，预计会成为市场上游戏性能最强的台式机处理器。