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英伟达CEO否认与台积电关系紧张,承认Blackwell芯片设计缺陷是自身问题
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英伟达在今年 8 月公布 2025 财年第二财季财报时,创始人兼 CEO 黄仁勋承认了此前媒体的报道,即 Blackwell 架构产品生产上出现了一些问题,导致了较低的良品率。最终相关的芯片需要修改掩膜设计并重新流片,Blackwell 架构产品的出货时间也比原计划稍晚了一些。传闻此事让英伟达与台积电(TSMC)之间的关系受到了一些影响,原因是台积电要承担部分的责任。

据 TomsHardware报道,黄仁勋否定了近期媒体的说法,表示 Blackwell 架构产品确实遇到了一个设计缺陷,对芯片的功能没什么影响,但是会降低良品率,这 100% 是英伟达的问题,与台积电没有任何关系,不会影响双方的合作。事实上,能够如此快速地修补漏洞,还要感谢台积电及时的帮助。

基于 Blackwell 架构 GPU 打造的 B100 和 B200 是首批采用台积电 CoWoS-L 封装的产品,其使用 RDL 中间层与 LSI 桥接器连接小芯片,可实现约 10Tb/s 的数据传输速率。生产时这些组件需要精确放置,然而 GPU 芯片、RDL 中间层、LSI 桥接器、以及基板之间的热膨胀系数(CTE)不匹配,容易导致翘曲和系统故障。为此英伟达重新设计了 GPU 芯片的顶层金属层和凸块,以提高良品率。

黄仁勋表示,经过修改设计后,芯片的设计缺陷已修复,预计 Blackwell 架构产品会在今年第四季度内发货。

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