快科技 9 月 12 日消息，三星电子官方宣布，已经开始批量生产第九代 QLC V-NAND 闪存，单颗容量 1Tb ( 128GB ) 。

就在今年 4 月，三星开始量产第九代 TLC V-NAND 闪存，二者只间隔 4 个月。

三星第九代 QLC NAND 闪存加入了多项创新：

一是通道孔蚀刻 ( Channel Hole Etching ) 。

基于双堆栈架构，实现了当前业内最高的单元堆叠层数 ( 具体未公开 ) 。同时优化存储单元面积、外围电路，位密度比上代提升约 86％。

二是预设模具 ( Designed Mold ) 。

可以调整、控制存储单元的字线 ( Word Line ) 间距，确保同一单元层内、单元层之间的存储单元的特性保持一致，达到最佳效果，数据保持性能提升约 20％，增强了可靠性。

三是预测程序 ( Predictive Program ) 。

能够预测、控制存储单元的状态变化，尽可能减少不必要的操作，写入性能翻倍，数据输入 / 输出速度提升 60％。

四是低功耗设计 ( Low-Power Design ) 。

降低了驱动 NAND 存储单元所需的电压，只感测必要的位线 ( Bit Line ) ，数据读取功耗约分别下降了约 30％、50％。

三星第九代 QLC V-NAND 闪存将首先用于消费电子产品，然后逐步在 UFS、PC、服务器领域铺开。