今年 4 月，三星正式开始量产第 9 代 V-NAND 闪存，首批提供的是容量为 1Tb 的 TLC 闪存，进一步增强了自身在闪存市场的竞争力。现在三星宣布启动新款第 9 代 V-NAND 闪存的量产工作，属于其首款 1Tb 的 QLC（四层单元）闪存，进一步巩固了三星在高容量、高性能 NAND 闪存市场中的地位。

三星电子执行副总裁兼闪存产品与技术负责人 SungHoi Hur 表示：" 在距上次 TLC 版本量产仅四个月后，第 9 代 V-NAND QLC 闪存产品成功启动量产，使我们能够提供，能够满足人工智能时代需求的完整阵容的 SSD 解决方案。随着企业级 SSD 市场呈现日益增长的趋势，对人工智能应用的需求更加强劲，我们将通过 QLC 和 TLC 第 9 代 V-NAND 闪存继续巩固三星在该领域的市场地位。"

第 9 代 V-NAND QLC 闪存综合运用多项创新成果，实现了多项技术突破，包括：

通道孔蚀刻技术（Channel Hole Etching） - 能够基于双堆栈架构实现当前业内最高的单元层数。三星运用在第 9 代 V-NAND TLC 中积累的技术经验，优化了存储单元面积及外围电路，位密度比上一代 V-NAND QLC 闪存提升约 86%。

预设模具（Designed Mold）技术 - 能够调整控制存储单元的字线（WL）间距，确保同一单元层内和单元层之间的存储单元的特性保持一致，达到最佳效果。V-NAND 层数越多，存储单元特性越重要。采用预设模具技术使得数据保存性能相比之前的版本提升约 20%，增强了产品的可靠性。

预测程序（Predictive Program）技术 - 能够预测并控制存储单元的状态变化，尽可能减少不必要的操作。这项技术进步让三星第 9 代 V-NAND QLC 的写入性能翻倍，数据输入 / 输出速度提升 60%。

低功耗设计（Low-Power Design）技术 - 使得数据读取功耗约分别下降了约 30% 和 50%。这项技术降低了驱动 NAND 存储单元所需的电压，能够仅感测必要的位线（BL），从而尽可能减少功耗。

三星计划扩大第 9 代 V-NAND QLC 闪存的应用范围，从品牌消费类产品开始，扩展到移动通用闪存（UFS）、个人电脑和服务器 SSD，为包括云服务提供商在内的客户提供服务。