目前 AI 加速卡供应紧张，而 HBM 内存则是 AI 加速卡的一个非常重要的部件，在提升 AI 算力起到至关重要的作用。NVIDIA 现在最新的 Blackwell 架构 AI 加速卡用的是 8 层 HBM3E 内存，而 SK 海力士正在准备堆叠层数多达 12 层的 HBM3E，可提供更高的内存容量和传输速度，他们计划在 9 月底开始量产 12 层的 HBM3E，为下一代 AI 市场做准备。

根据外媒报道，SK 海力士已成为首批宣布量产 12 层 HBM3E 的公司之一，并表示预计将在下个季度开始出货。12 层的 HBM3E 容量要比现在的大得多，单颗容量可达 36GB，而 8 层 HBM3E 则为 24GB。新的 HBM3E 内存采用了 TSV 硅通孔技术，可实现更高的传输速率和更小的信号损失，目前 12 层 HBM3E 尚未被市场正式采用，但传闻 NVIDIA 会在 Hopper 和 Blackwell 架构 AI GPU 的高阶型号上使用它。

SK 海力士在 HBM 上是比较领先的，据说他们的 HBM 生产线已经预定到 2025 年，预计未来几年还会持续增长，这都要归功于 AI 热潮到来的巨量需求。SK 海力士明年还将推出新一代的 HMB4 内存，预计 2026 年量产。HBM4 把存储和逻辑模块封装在一起，这是这种新内存备受期待的功能之一，这种新的内存标准可能会彻底改变市场。HBM4 通常会被标记为多功能芯片，并且无需使用封装技术。

HBM 市场的未来看起来非常美好，预计在未来几季将迅速发展，内存厂商会如何在这片市场竞争并攀登顶峰会很有趣，目前来看 SK 海力士与三星、美光等其他厂商有这巨大的差距。