【太平洋科技快讯】近日，相关爆料消息称韩国两大内存巨头三星电子和 SK 海力士计划将在 2026 年之后推出新型 " 类 HBM 式 " 堆叠结构移动内存产品，旨在为智能手机、平板电脑和笔记本电脑提供更强大的端侧 AI 支持，业内人士指出，移动处理器的设计和布局将直接影响堆叠式移动内存的配置和连接方式，这意味着新一代移动内存将根据合作伙伴的需求进行定制供应，有望重塑移动 DRAM 市场格局。

三星电子的新产品命名为 LP Wide I/O 内存，SK 海力士则将其技术称为 VFO。这两种技术均采用扇出封装和垂直通道相结合的方法，以提高内存性能。

LP Wide I/O 内存的性能亮点在于，其位宽达到 512bit，是现有 LPDDR 内存的 8 倍，同时拥有 8 倍的 I/O 密度和 2.6 倍的 I/O 带宽。该产品预计于 2025 年第一季度技术就绪，并在 2025 年下半年至 2026 年中实现量产。

SK 海力士的 VFO 技术同样表现出色，其验证样品将导线长度缩短至传统内存的 1/4 以下，能效提升了 4.9%。尽管散热量增加了 1.4%，但封装厚度却减少了 27%。

目前，关于这些堆叠式移动内存如何与处理器集成尚未明确。可能的方案包括类似 HBM 的 2.5D封装或 3D 垂直堆叠。