财联社 8 月 29 日讯(编辑 周子意)全球第二大存储芯片制造商 SK 海力士周四(8 月 29 日)表示,已开发出业界首款第六代 10 纳米级动态随机存取存储器(DRAM)芯片,该芯片的功耗比旧型号更低、能效则更高。
SK 海力士在一份声明中表示,这款 DRAM 芯片名为 1c 16Gb DDR5,其中的 1c 代表了 SK 海力士的第六代 10 纳米工艺。
据介绍,此次 1c 16Gb DDR5 芯片将主要用于高性能数据中心,其运行速度为 8Gbps(每秒 8 千兆比特),与前一代相比速度提高了 11%;此外该芯片还比前一代的能效提高了 9% 以上。
该公司还表示,在当前人工智能蓬勃发展的时期,这可以帮助数据中心减少多达 30% 的电力成本。
此次的 1c 工艺是以 1 β 工艺为基础,1 β 工艺就是上一代 DRAM 芯片采用的第五代 10 纳米技术,其以最佳性能的 DRAM 而广受赞誉的。为了减少在推进过程中产生的潜在错误,并以最有效的方式转移 1 β 的优势,该公司扩展了 1 β 的 DRAM 平台以开发 1c。
公司声明中写道," 公司以第五代(1 β)技术力为基础,提高了设计完成度,率先突破了技术极限。公司将在年内完成 1c DDR5 DRAM 的量产准备,从明年开始供应产品,引领半导体存储器市场发展。"
DRAM 开发部门负责人 Kim Jonghwan 表示,"1c 工艺技术兼备着最高性能和成本竞争力,公司将其应用于新一代 HBM1、LPDDR62、GDDR73 等最先进 DRAM 主力产品群,由此为客户提供差别化的价值。"
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