钛媒体 App 7 月 8 日消息，英特尔一项近日公开的专利申请显示，公司正研发名为 XBM（Cross-Batch Memory）的新型高带宽内存架构，旨在通过取消 HBM 所需的硅中介层、采用 UCIe 互连及内置冗余修复机制，降低先进封装成本并缓解 AI 芯片 " 内存墙 " 瓶颈。专利显示，XBM 采用后端晶体管（BEOL）DRAM 堆叠设计，可在保持与 HBM4 相近封装尺寸的同时提升可扩展性，并支持缺陷修复以提高良率。（广角观察）
钛媒体 App 7 月 8 日消息，英特尔一项近日公开的专利申请显示，公司正研发名为 XBM（Cross-Batch Memory）的新型高带宽内存架构，旨在通过取消 HBM 所需的硅中介层、采用 UCIe 互连及内置冗余修复机制，降低先进封装成本并缓解 AI 芯片 " 内存墙 " 瓶颈。专利显示，XBM 采用后端晶体管（BEOL）DRAM 堆叠设计，可在保持与 HBM4 相近封装尺寸的同时提升可扩展性，并支持缺陷修复以提高良率。（广角观察）
登录后才可以发布评论哦
打开小程序可以发布评论哦