快科技 7 月 6 日消息，这一轮内存大涨价归因于 AI 需求，尤其是 HBM 内存挤占了大量 DDR/LPDDR 内存，但 HBM 同样面临着技术限制，Intel 已经在研发 XBM 内存解决这个问题。

Intel 是内存技术起价的，就算 40 年前退出了内存生产，但在技术研发下一直没拉下，各种技术标准都少不了 Intel 的推动，在当前的 HBM 内存中 Intel 话语权不高，这个 XBM 内存（eXtended Bandwidth Memory）有机会让 Intel 重掌大权。

XBM 内存已经不是第一次露出苗头了，最新曝光的是一份编号为 20260191095 的专利申请，2024 年 12 月 26 日申请的，公开时间是今年 7 月 2 日。

根据这个专利，Intel 指出当前 HBM 内存面临的技术挑战，包括面积被 TSV 侵占，面积效率越来越低，布线复杂，功耗越来越高，未来难以为继。

Intel 提出的 XBM 内存方案则是带后端晶体管的超高带宽存储器，芯片堆栈中的每个存储芯片包含一个晶体管、一个电容（1T1C）、后端动态随机存取存储器（DRAM）。

传统 DRAM 内存中晶体管在 FEOL 前端中，现在把它做到后端金属层中，面积效率大增，再通过更多的 TSV 通道来提升总带宽。

最终做出来的 XBM 内存面积效率高，功耗更低，而不像是 HBM 后续标准那样继续在高频率上做文章。

这篇专利申请没有提到 XBM 内存的具体指标，结合里面提到的参数来推测，XBM 内存预计会比当前的 HBM4 提升一倍的带宽、容量，但该技术面向的至少是 2030 年之后的市场，届时会有 HBM5、HBM6，单论技术指标应该不占优势了。

总的来说，XBM 不太可能直接取代 HBM 内存，而是 Intel 换了个方向开辟高性能内存之路，希望用后端晶体管工艺突破 AI 最急迫的内存墙问题，现在说技术好不好还太早，等过几年有产品了再看。