睿思网讯：4 月 8 日，三菲化合物半导体光芯片制造基地项目签约落户城厢镇。项目计划总投资 20 亿元，其中，一期项目总投资 10 亿元，建成后将有力助推区域产业能级提升、未来产业发展。

三菲半导体成立于 2002 年，立足自有光芯片、电芯片、算法的核心技术能力，专注于模拟光和相干光的光电一体化解决方案。为进一步拓展业务、扩大产能，三菲决定在城厢镇投资建设三菲化合物半导体光芯片制造基地项目，主要从事 InP 激光器和光电探测器芯片、GaAs 激光器芯片的研发与制造，打造外延生长、光芯片制造、光电融合一体化产业链。一期项目预计今年 8 月开工建设、2028 年投产运营，达产后可实现年产值超 10 亿元。