驱动之家 03-03
缺陷率降低97%!三星计划大幅修改HBM4E设计
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快科技 3 月 3 日消息,据媒体报道,三星计划在今年率先推出经过改进的供电传输架构,为年内实现 HBM4E 的量产做好准备。这一设计涉及对内部供电网络进行分割与重新分配,相当于一次结构性的全面改造。

供电传输正逐渐成为新一代 HBM 的性能瓶颈,构建一个高效且布局合理的供电网络,已成为 HBM 技术发展中的关键挑战。

根据三星相关资料,从 HBM4 升级至 HBM4E 后,供电凸点数量将从 13682 个增至 14457 个,这意味着需要在相同的空间内实现更密集、更精细的布线。

这一变化会导致电流密度和电阻上升,进而引发更明显的电压压降现象,即电压在传输过程中出现衰减。由此产生的热量会进一步推高电阻,加剧这一循环,最终可能导致性能下降甚至电路故障。

三星指出,目前的 HBM 设计存在结构上的短板,包括布线过于复杂以及电路布局高度集中。

为此,三星提出了供电网络分割方案,通过拆分供电模块、分层布局上层走线,构建更为直接高效的电路路径,尽可能减少从供电凸点到用电端之间不必要的迂回。

按照三星的说法,新设计使 HBM4E 的金属电路缺陷率较 HBM4 降低了 97%,同时电压压降改善了 41%,从而支持更高的运行速度,也提升了芯片整体的可靠性。

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