韩国 SK 海力士周二表示，公司已决定投资 19 万亿韩元（约合 129 亿美元）在韩国建设一家先进的芯片封装厂，以满足与人工智能（AI）相关的、激增的存储芯片需求。

该芯片制造商在一份声明中表示，新工厂将位于韩国清州市，将于今年 4 月启动建设，目标是明年年底完工。该公司在清州已经有多个生产设施。

SK 海力士表示，全球 AI 领域的竞争不断加剧，正推动对 AI 专用存储器的需求急剧上升，这也凸显出公司需积极应对市场对高带宽存储芯片（HBM）日益增长的需求。

该公司预计，从 2025 年到 2030 年，HBM 市场将以年均 33% 的速度增长。

DRAM 是目前全球应用最广泛的易失性半导体存储芯片。作为电子设备的核心运行内存，DRAM 能实现数据随机高速存取，广泛应用于服务器、手机、PC 等各类需要高速数据处理的场景。

而 HBM 是一种基于 3D 堆叠技术的高性能 DRAM，是人工智能 ( AI ) 应用的核心部件，随着 AI 产业爆发，其需求也迅猛增长。

相对于传统 DRAM，HBM 的核心优势集中在带宽、功耗、空间利用率三大维度，完美适配 AI 大模型训练、高性能计算等对数据吞吐要求极高的场景。

麦格理证券研究部（Macquarie Equity Research）的数据显示，作为英伟达的核心 HBM 供应商，SK 海力士去年在 HBM 市场中占据主导地位，市占率高达 61%；其次是美光和三星电子，市占率分别为 20% 和 19%。

SK 海力士将于下周公布 2025 财年第四季度（截至 12 月 31 日）收益，外界普遍预计，由于 AI 引发的巨大需求，该公司业绩将实现大丰收。

上周四，SK 海力士的本土竞争对手、全球最大的内存芯片制造商三星电子发布了 2025 年第四季度初步业绩，显示受益于 AI 热潮下的存储芯片涨价潮，当季公司营业利润大幅增长，且好于市场预期。

根据初步业绩，三星电子去年 10 月至 12 月期间的营业利润为 20 万亿韩元（约合 138.2 亿美元 ?），较上年同期飙升 208%，高于 LSEG SmartEstimate 预计的 18 万亿韩元。这将是三星有史以来最高的季度营业利润。

近几个月来，存储芯片价格持续上涨。一方面，芯片产业正转向人工智能相关芯片的生产，传统存储芯片产能因此受到挤压；另一方面，训练和运行人工智能模型对传统芯片与高端芯片的需求均在激增。

SK 海力士和三星均受益于内存芯片价格的大幅上涨。本周初有消息称，三星与 SK 海力士已向服务器、PC 及智能手机用 DRAM 客户提出涨价，今年一季度报价将较去年第四季度上涨 60%-70%。