近日，SK 海力士在超级计算大会 2025 上展示了全球首个 12 层堆叠的 HBM4 内存芯片，其单颗芯片集成了 2048 个 I/O 通道，带宽飙升同时功耗效率提升 40%，与前代 HBM3 相比，HBM4 运行速度提高 60% 以上、数据传输速率达到 10Gbps，大幅超越了 JEDEC 标准规定的 8Gbps。

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据悉，早在今年 3 月份 SK 海力士就向英伟达等主要客提供了 12 层 HBM4 样品，今年九月份完成开发并全球构建量产体系。而 11 月份 SK 海力士与英伟达达成的 HBM4 供应协议中，单颗产品定价已然突破 560 美元，现阶段 SK 海力士 HBM4 产能已被全部预定，英伟达 Rubin 芯片、AMD MI400 等新一代 AI 加速器均在采用 HBM4 架构。

据介绍，SK 海力士通过增加芯片堆叠层数和先进接口设计来实现带宽升级；通过自主创新的 Advanced MR-MUF 技术，来控制芯片堆叠时的翘曲现象从而显著提升散热性能和稳定性。如图，超级计算大会 2025 上 SK 海力士联合英伟达展出的 GB300 平台就采用 HBM4 内存方案，其拥有 2048 个 I/O 通道、11Gbps 数据传输速率、12Hi 24GB 颗粒堆叠。

数据显示在当下 HBM 市场竞争中，SK 海力士拥有全球 62% 市场占有率，其已然控制英伟达超 90% 的 HBM 产品供应。而拥有半导体生产线的三星电子才凭借 HBM3E 技术机身英伟达供应链，而美光目前正在进行的 HBM4 设备采样，数据传输速率只有 9.2 GT/s。

随着 SK 海力士第六代 HBM4 内存技术迭代、产能升级，三星、美光面临的技术、市场压力会越来越大，在未来 AI 算力革命中谁能在技术迭代速度、产能释放效率与客户绑定深度上形成综合优势，谁才能真正站稳跟脚，市场留给 SK 海力士、三星的机遇都很大。