（全球 TMT2025 年 10 月 16 日讯）三安集成（三安光电子公司）通过在制造工艺端的迭代，为设计公司提供支持和解决方案。在射频芯片工艺中，砷化镓射频（GaAs RF）芯片工艺是关键技术之一，主流的工艺路线有 HBT（双极型异质结三极管）与 pHEMT（赝调高迁移率晶体管）。三安集成针对客户需求，推出 0.4 μ m Ledge GaAs HBT 工艺 H10HP56，实现更高的工作频率，使器件在 C 波段范围内的高功率应用需求，并着重在智能手机、Wi-Fi 7、卫星通信等领域提供优越的放大效率和顽健性。

H10HP56 采用三安集成自研 InGaP 材料外延，在实现较高电流增益的情况下，减小基极电阻，从而实现较高的工作频率；该工艺全面适配铜柱倒装工艺，实现更小的芯片封装面积和散热效率，提升系统的可靠性。该工艺自 2024 年底推出，已完成在战略客户项目中的先导量产，预计于第四季度实现大规模量产。