每经 AI 快讯，九峰山实验室今日官微消息，九峰山实验室近日在磷化铟（InP）材料领域取得重要技术突破，成功开发出 6 英寸磷化铟（InP）基 PIN 结构探测器和 FP 结构激光器的外延生长工艺，关键性能指标达到国际领先水平。这一成果也是国内首次在大尺寸磷化铟材料制备领域实现从核心装备到关键材料的国产化协同应用。九峰山实验室本次联合国内供应链实现全链路突破，对促进我国化合物半导体产业链协同发展有着重要影响。其中，九峰山实验室本次技术突破中 6 英寸磷化铟（InP）衬底合作方云南鑫耀的 6 英寸高品质磷化铟单晶片产业化关键技术已实现突破，量产在即。

每日经济新闻