上个月，美光（Micron）宣布扩大在美国的投资规模，在原计划基础上再增加 300 亿美元，达到约 2000 亿美元，用于尖端 DRAM 制造（1500 亿美元）和研发（500 亿美元），同时会创造 9 万个直接和间接工作岗位。去年美光还与美国商务部达成的协议，后者将根据《芯片法案》为其商业半导体制造项目提供 61.65 亿美元的直接拨款，目标是未来十年内在美国制造旗下 40% 的 DRAM 产品。

据 TomsHardware报道，最近美光详细介绍了更新后的美国晶圆厂投资，计划将持续 20 年。

第一部分涉及在爱达荷州博伊西建造世界上最大、最先进的 DRAM 生产设施之一，首座晶圆厂称为 "ID1"，预计 2027 年下半年投产。其洁净室面积将达到 60 万平方英尺（55700 平方米），大约是 GlobalFoundries 旗下 Fab 8 洁净室产能的两倍，与三星及 SK 海力士的大型晶圆厂相当。第二座晶圆厂 "ID2" 就在附近，受益于共享基础设施和研发共址，美光预计早于纽约的工厂投入使用，不过没有提供具体时间。

美光还计划在纽约克莱附近建造晶圆厂，分为四个阶段，洁净室面积与 "ID1" 相当，同样没有提供具体的投产时间。除了新建晶圆厂外，美光还将扩建弗吉尼亚州马纳萨斯的现有工厂，主要生产用于汽车、航空航天、国防和工业应用的存储芯片，升级后将具备 HBM 封装能力。按照美光的说法，要等爱达荷州博伊西的 DRAM 产能提升后，才会升级弗吉尼亚州马纳萨斯的设施。