三星在 "Samsung Foundry Forum 2022" 上，公布了未来的技术路线图，显示将会在 2025 年开始大规模量产 2nm 工艺，更为先进的 1.4nm 工艺将首次引入 High-NA EUV 光刻技术，预计会在 2027 年量产。

据 Wccftech报道，近日三星在韩国首尔举行了新一轮 SAFE 2025 活动，表示 1.4nm 工艺将延后至 2029 年量产，比原定时间晚了近两年。三星计划将重点放在 2nm 制程节点，原因是晶圆代工部门在目前状态下无法控制运营损失。三星希望通过优化 2nm 工艺的性能和能耗表现，提高良品率，使其更适合业界使用。

与此同时，三星也将改进 4nm、5nm 和 8nm 等相对旧一点工艺，以减少运营商的损失。这些工艺仍然属于比较先进的类型，市场需求依然很大。三星已经意识到，无法与台积电（TSMC）在先进半导体制造技术上直接竞争，特别考虑到现在的财务状况，因此更充分地利用现有资源来提高利润率更为关键。随着三星放慢步伐，在尖端芯片上台积电与后面其他晶圆代工厂进一步拉大了距离。

台积电（TSMC）是在 IEEE 国际电子元件会议（IEDM 2023）上首次透露其 1.4nm 制程节点的研发工作，表示已全面展开，且进展顺利。传闻台积电计划在 2028 年量产 1.4nm 工艺，比三星早一年。