去年 8 月，SK 海力士宣布已成功开发出全球首款采用 1cnm（第六代 10nm 级别）工艺的 16Gb DDR5 DRAM，新产品不但提升了性能，还能降低功耗。SK 海力士也在 2025 年 2 月开始量产1cnm DRAM 芯片，成为全球首家运用 1cnm 工艺生产 DRAM 芯片的存储器供应商。外界预计 SK 海力士也会将新工艺应用到最新的 HBM 产品上，以进一步提升效能，继续引领市场。

据 TrendForce报道，虽然英伟达和 AMD 都在竞相引入下一代 HBM，但是 SK 海力士对于 1cnm DRAM 反而变得更加谨慎，放慢了投资的脚步。SK 海力士打算开始量产 HBM4E 以后，才提高 1cnm DRAM 产量，而今年下半年即将量产的 HBM4，仍然会采用更为成熟的 1 β ( b ) nm（第五代 10nm 级别）工艺。

据了解，HBM 的利润是标准 DRAM 的 3 到 5 倍，8 层堆叠的 HBM3 芯片（24GB）售价略高于 200 美元，而 8 层堆叠的 HBM3E 芯片（36GB）售价还要高出许多，接近于 400 美元，接下来 12 层堆叠的 HBM4 芯片甚至可能高于 600 美元。考虑到 HBM 产品的高利润，SK 海力士更倾向于扩大 1bnm DRAM 产能，以支持 HBM3E 和 HBM4 的出货。

为了满足 HBM 等新一代 DRAM 的生产能力，SK 海力士在去年将位于韩国忠清北道清州市的 M15X 定为新的 DRAM 生产基地，扩充 1bnm DRAM 生产线。M15X 按计划将于 2025 年 11 月竣工，当全面投入运营时，可以将 SK 海力士的 HBM 产能提高 20% 至 30%。

与 SK 海力士和美光在 HBM4 上都选择了 1bnm DRAM 不同，三星则将赌注压在 1cnm DRAM 上，从去年末开始扩大投资。