钛媒体 App 5 月 22 日消息，SK 海力士宣布，公司成功开发出搭载全球最高 321 层 1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND 闪存的移动端解决方案产品 UFS 4.1。公司此次开发的新品较上一代基于 238 层 NAND 闪存的产品能效提升了 7%。同时，成功将产品厚度从 1mm 减薄至 0.85mm，使其能够适配超薄智能手机。